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厂商型号

2SA2016-TD-E 

产品描述

Trans GP BJT PNP 50V 7A 4-Pin(3+Tab) PCP T/R

内部编号

277-2SA2016-TD-E

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:438
1+¥3.8975
10+¥3.2889
100+¥2.1265
1000+¥1.6957
2000+¥1.4359
10000+¥1.3744
25000+¥1.3265
50000+¥1.2718
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:1709
1+¥3.9264
10+¥3.4552
100+¥2.6425
500+¥2.0936
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#3

数量:1709
1+¥3.9264
10+¥3.4552
100+¥2.6425
500+¥2.0936
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

2SA2016-TD-E产品详细规格

规格书 2SA2016-TD-E datasheet 规格书
2SA2016/2SC5569
2SA2016-TD-E datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 7A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 400mV @ 40mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 200 @ 500mA, 2V
功率 - 最大 3.5W
频率转换 330MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-243AA
供应商器件封装 PCP
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 4PCP
类型 PNP
引脚数 4
最大集电极发射极电压 50 V
集电极最大直流电流 7 A
最小直流电流增益 200@500mA@2V
最大工作频率 290(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.39@175mA@3.5A|0.4@40mA@2A V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 1300 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 7
最低工作温度 -55
Maximum Transition Frequency 290(Typ)
包装宽度 2.5
PCB 3
最大功率耗散 1300
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 50
最大集电极发射极电压 50
供应商封装形式 PCP
最高工作温度 150
包装长度 4.5
包装高度 1.5
最大基地发射极电压 6
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Flat
电流 - 集电极( Ic)(最大) 7A
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 330MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 400mV @ 40mA, 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 PCP
功率 - 最大 3.5W
封装/外壳 TO-243AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 500mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
集电极 - 发射极饱和电压 240 mV
晶体管极性 NPN/PNP
直流集电极/增益hfe最小值 200 mA
增益带宽产品fT 330 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 100 V
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 7 A
工厂包装数量 1000
系列 2SA2016
Pd - Power Dissipation 3.5 W
品牌 ON Semiconductor

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